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Siehe Technische Spezifikationen

71V416S12PHG8 +BOM

Product 71V416S12PHG8 details: '3.3V 256K x 16 Asynchronous Static RAM Center Pwr & Gnd Pinout'

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

71V416S12PHG8
Datenblatt:

71V416S12PHG8 Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Asynchronous
Memory Size:

4Mbit
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 71V416S12PHG8

71V416S12PHG8 Allgemeine Beschreibung

Whether used in industrial automation, automotive electronics, or consumer electronics, the 71V416S12PHG8 offers a cost-effective solution for meeting the growing demand for high-speed memory solutions. Its compatibility with standard interface protocols and ease of integration make it a popular choice among designers and engineers seeking reliable and efficient memory solutions

Hauptmerkmale

Simplified PCB design
Fully integrated logic functions
Compact footprint available

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM - Asynchronous	Memory Size	4Mbit
Memory Organization	256K x 16	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	12ns	Access Time	12 ns
Voltage - Supply	3V ~ 3.6V	Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	71V416S

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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