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Siehe Technische Spezifikationen

AFGHL40T65SQ +BOM

AEC 101 Qualified, 650V, 40A Fieldstop 4 trench IGBTStand alone IGBT without co-pack DIODE

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

AFGHL40T65SQ
Datenblatt:

AFGHL40T65SQ Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an AFGHL40T65SQ

AFGHL40T65SQ Allgemeine Beschreibung

Using the novel field stop 4th generation high speed IGBT technology. AFGHL40T65SQ which is AEC Q101 qualified offers the optimum performance for both hard and soft switching topology in automotive application.

Hauptmerkmale

AEC Q101 qualified
Maximum Junction Temperature, Tj=175°C
Very low switching and conduction losses
Positive temperature co-efficient
Tight parameter distribution
Fast Switching
Low Saturation Voltage: Vcesat=1.6V(Typ.)@Ic=75A
100% of the parts are tested for ILM

Anwendung

PFC
Hard Switching
Automotive

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.6 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	80 A	Pd - Power Dissipation	239 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Qualification	AEC-Q101	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	IGBTs

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