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Siehe Technische Spezifikationen

AFV10700HSR5 +BOM

RF MOSFET Transistors 700W 1030-1090MHz

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

AFV10700HSR5
Datenblatt:

AFV10700HSR5 Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

2.6 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

105 V

AFV10700HSR5 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 50 V 100 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 19.2dB 770W NI-780S-4L

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Id - Continuous Drain Current	2.6 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	105 V	Operating Frequency	1.03 GHz to 1.09 GHz
Gain	19.2 dB	Output Power	700 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Number of Channels	2 Channel
Pd - Power Dissipation	526 W	Product Type	RF MOSFET Transistors
Series	AFV10700	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	LDMOS FET
Type	RF Power MOSFET	Vgs - Gate-Source Voltage	+ 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.3 V	Part # Aliases	935346524178
Unit Weight	0.228922 oz

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