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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

AON6912 +BOM

High-performance MOSFET for efficient power contro

Hersteller:

Alpha & Omega Semiconductor
Herstellerteil #:

AON6912
Datenblatt:

AON6912 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

AON6912 Allgemeine Beschreibung

The AON6912 is a versatile and high-performance dual N-channel enhancement mode FET that offers excellent efficiency and power handling capabilities. With a drain-source voltage rating of 30V and a continuous drain current of 10A, this FET is well-suited for a range of power management applications, from DC-DC converters to battery protection circuits. Its low on-resistance of 17mΩ at a gate-source voltage of 10V ensures minimal power loss, making it an ideal choice for applications where energy efficiency is critical. The compact DFN3x3 package and wide operating temperature range further enhance the FET's suitability for demanding environments

Hauptmerkmale

High efficiency power stage
Integrated a high-side N-Channel and a low-side N-Channel MOSFET
Logic level compatible inputs for operation down to 2.5V
Adjustable output voltage from 0.6V to VDD-2V
Over-temperature protection and over-current protection
Available in a small 3x3mm QFN package

Anwendung

Portable devices
Smartphones
Adapters

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

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