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Siehe Technische Spezifikationen

AOTF11S60 +BOM

1S60 Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F":

Hersteller:

Alpha and Omega Semiconductor
Herstellerteil #:

AOTF11S60
Datenblatt:

AOTF11S60 Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Configuration:

Single
Channel Mode:

Enhancement
Channel Type:

N
EDA/CAD Modelle:

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AOTF11S60 Allgemeine Beschreibung

Featuring a TO-220AB package with 3 pins, the AOTF11S60 is easy to install and suitable for use in various electronic circuits. Additionally, this transistor is RoHS compliant, making it environmentally friendly and safe for use in consumer electronics and other products

Hauptmerkmale

VDS @ Tj,max 700V
IDM 45A
RDS(ON),max 0.399Ω
Qg,typ 11nC
Eoss @ 400V 2.7µJ

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Obsolete
Automotive		PPAP
Category	Power MOSFET	Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement	Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1	Maximum Drain Source Voltage (V)	600
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30	Maximum Continuous Drain Current (A)	11
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	399@10V	Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	11@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	11	Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	545@100V
Maximum Power Dissipation (mW)	38000	Typical Fall Time (ns)	20
Typical Rise Time (ns)	20	Typical Turn-Off Delay Time (ns)	59
Typical Turn-On Delay Time (ns)	20	Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150	Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm)	350@10V
Mounting	Through Hole	PCB changed	3
Tab	Tab	Pin Count	3
Lead Shape	Through Hole

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