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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BAP64-05 +BOM

Silicon-based PIN diode

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

BAP64-05
Datenblatt:

BAP64-05 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BAP64-05

Hauptmerkmale

Low diode capacitance
Low diode forward resistance
Low series inductance
High voltage, current controlled
RF resistor for RF attenuators and switches

Anwendung

RF attenuators and switches

Spezifikationen

Source Content uid	BAP64-05	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.10.00
Additional Feature	HIGH VOLTAGE	Application	ATTENUATOR; SWITCHING
Breakdown Voltage-Min	175 V	Configuration	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
Diode Capacitance-Max	0.35 pF	Diode Capacitance-Nom	0.52 pF
Diode Element Material	SILICON	Diode Forward Resistance-Max	40 Ω
Diode Res Test Current	0.5 mA	Diode Res Test Frequency	100 MHz
Diode Type	PIN DIODE	Frequency Band	S BAND
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	JESD-609 Code	e3
Minority Carrier Lifetime-Nom	1.55 µs	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	2	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-65 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Power Dissipation-Max	0.25 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Technology	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	Terminal Finish	Tin (Sn)
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30

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