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Siehe Technische Spezifikationen

BAS116,215 +BOM

Epitaxial medium-speed switching diode with a low leakage current in a small SOT23 plastic SMD package.

Hersteller:

NEXPERIA
Herstellerteil #:

BAS116,215
Datenblatt:

BAS116,215 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BAS116,215

BAS116,215 Allgemeine Beschreibung

Epitaxial medium-speed switching diode with a low leakage current in a small SOT23 plastic SMD package.

Hauptmerkmale

Compact SMD package
High temperature range
EIAJ standard pinout

Anwendung

Ideal for high frequency circuits
Small package size

Spezifikationen

Source Content uid	BAS116,215	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.10.00.70
Date Of Intro	1995-11-01	Additional Feature	LOW LEAKAGE CURRENT
Configuration	SINGLE	Diode Element Material	SILICON
Diode Type	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95 Code	TO-236AB
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Phases	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 °C	Output Current-Max	0.215 A
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Power Dissipation-Max	0.25 W
Reference Standard	AEC-Q101; IEC-60134	Rep Pk Reverse Voltage-Max	85 V
Reverse Recovery Time-Max	3 µs	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Technology	Standard	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	75 V
Current - Average Rectified (Io)	215mA	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25 V @ 150 mA
Speed	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Reverse Recovery Time (trr)	3 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr	5 nA @ 75 V	Capacitance @ Vr, F	2pF @ 0V, 1MHz
Grade	Automotive	Qualification	AEC-Q100
Mounting Type	Surface Mount	Operating Temperature - Junction	150°C (Max)
Base Product Number	BAS116

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