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Siehe Technische Spezifikationen

BAS116E6327HTSA1 +BOM

SOT-23 Silicon Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 3 PIN

Hersteller:

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Herstellerteil #:

BAS116E6327HTSA1
Datenblatt:

BAS116E6327HTSA1 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BAS116E6327HTSA1

BAS116E6327HTSA1 Allgemeine Beschreibung

The BAS116E6327HTSA1 from Infineon Technologies is a high-performance surface mount silicon Schottky diode that offers exceptional speed and efficiency. With a low forward voltage drop and a maximum forward current of 200mA, this diode is ideal for applications requiring fast switching speeds and minimal power dissipation. Its peak reverse voltage of 100V provides reliable protection against reverse voltage spikes, while the low reverse recovery time of 4ns ensures efficient operation in high-frequency applications

Spezifikationen

Source Content uid	BAS116E6327HTSA1	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	End Of Life	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.10.00.70	Factory Lead Time	39 Weeks
Configuration	SINGLE	Diode Element Material	SILICON
Diode Type	RECTIFIER DIODE	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Phases	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	150 °C
Output Current-Max	0.25 A	Power Dissipation-Max	0.37 W
Qualification Status	Not Qualified	Reverse Recovery Time-Max	1.5 µs
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL

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