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Siehe Technische Spezifikationen

BAS170WE6327HTSA1 +BOM

Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Didode

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

BAS170WE6327HTSA1
Datenblatt:

BAS170WE6327HTSA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

70 V
Current - Average Rectified (Io):

70mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:

1 V @ 15 mA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BAS170WE6327HTSA1

BAS170WE6327HTSA1 Allgemeine Beschreibung

The BAS170WE6327HTSA1 is a high-quality high-speed switching diode that delivers superior performance in general-purpose applications requiring high-speed switching and low reverse leakage. With its SOT323-3 surface-mounted package, this diode is designed to provide exceptional reliability and efficiency, making it an excellent choice for a wide range of electronic devices and systems. Its maximum forward current of 250 mA, reverse voltage of 70 V, and forward voltage drop of 1 V at a forward current of 100 mA make it a dependable and efficient component for demanding applications

Hauptmerkmale

Precise Current Control
High-Speed Switching
Silicon-Germanium Hybrid

Anwendung

Sensor signal processing
Automotive lighting
LED driver circuits

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersSingle Diodes	Series	-
Technology	Schottky	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	70 V
Current - Average Rectified (Io)	70mA	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1 V @ 15 mA
Speed	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	Reverse Recovery Time (trr)	100 ps
Current - Reverse Leakage @ Vr	100 nA @ 50 V	Capacitance @ Vr, F	2pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount	Operating Temperature - Junction	150°C (Max)
Base Product Number	BAS170

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