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BAS20,215 +BOM

BAS20 diode optimized for high-voltage switching usage

BAS20,215 Allgemeine Beschreibung

High-voltage switching diode encapsulated in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NEXPERIA Inventar

Hauptmerkmale

  • Ultra-low power consumption
  • Programmable output pulse width
  • Low electromagnetic interference
  • Surface-mount technology compatibility
NEXPERIA Originalbestand

Anwendung

  • High-voltage switching
  • Efficient voltage control
  • Reverse protection
NEXPERIA Inventar

Spezifikationen

Source Content uid BAS20,215 Part Life Cycle Code Active
Pin Count 3 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 HTS Code 8541.10.00.70
Date Of Intro 1991-04-01 Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON Diode Type RECTIFIER DIODE
JEDEC-95 Code TO-236AB JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Phases 1
Number of Terminals 3 Operating Temperature-Max 150 °C
Output Current-Max 0.2 A Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Power Dissipation-Max 0.25 W Reference Standard IEC-60134
Rep Pk Reverse Voltage-Max 200 V Reverse Recovery Time-Max 0.05 µs
Surface Mount YES Terminal Finish TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Technology Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 150 V Current - Average Rectified (Io) 200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 200 mA Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns Current - Reverse Leakage @ Vr 100 nA @ 150 V
Capacitance @ Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction 150°C (Max) Base Product Number BAS20

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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