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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BAS21LT3G +BOM

Switching Diode, 250 V

Hersteller:

ON SEMICONDUCTOR
Herstellerteil #:

BAS21LT3G
Datenblatt:

BAS21LT3G Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BAS21LT3G

BAS21LT3G Allgemeine Beschreibung

The BAS21LT3G's impressive performance characteristics make it suitable for a variety of industrial and consumer products, including audio amplifiers, power supplies, and motor drives. Its high voltage rating ensures reliable operation even in harsh environments, while its fast switching speed enables efficient energy transfer and minimizes electromagnetic interference (EMI)

Hauptmerkmale

Precision Clock Control for Synchronous Applications
Automatic Sleep Mode for Power Conservation
Sufficient Operating Voltage Range
High Temperature Stability and Reliability

Anwendung

Industrial

Spezifikationen

Source Content uid	BAS21LT3G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.10.00.70	Factory Lead Time	4 Weeks
Configuration	SINGLE	Diode Element Material	SILICON
Diode Type	RECTIFIER DIODE	Forward Voltage-Max (VF)	1 V
JEDEC-95 Code	TO-236AB	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Non-rep Pk Forward Current-Max	0.625 A	Number of Elements	1
Number of Phases	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Output Current-Max	0.2 A	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Power Dissipation-Max	0.225 W	Qualification Status	Not Qualified
Rep Pk Reverse Voltage-Max	250 V	Reverse Recovery Time-Max	0.05 µs
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	40

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