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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BAS385-TR +BOM

Advanced semiconductor component for precision circuitry

Hersteller:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Herstellerteil #:

BAS385-TR
Datenblatt:

BAS385-TR Datenblatt (PDF)
Technology:

Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

30 V
Current - Average Rectified (Io):

200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:

800 mV @ 100 mA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BAS385-TR

BAS385-TR Allgemeine Beschreibung

Diode 30 V 200mA Surface Mount MicroMELF

Hauptmerkmale

Integrated protection ring against static discharge,Very low forward voltage

Anwendung

Applications where a very low forward voltage is required

Spezifikationen

Technology	Schottky	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	30 V
Current - Average Rectified (Io)	200mA	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	800 mV @ 100 mA
Speed	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	Current - Reverse Leakage @ Vr	2.3 µA @ 25 V
Capacitance @ Vr, F	10pF @ 1V, 1MHz	Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature - Junction	125°C (Max)	Base Product Number	BAS385

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