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Siehe Technische Spezifikationen

BAS40TW +BOM

High-performance Schottky diode for low-power application

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

BAS40TW
Datenblatt:

BAS40TW Datenblatt (PDF)
Diode Configuration:

3 Independent
Technology:

Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

40 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode):

200mA (DC)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BAS40TW

BAS40TW Allgemeine Beschreibung

The BAS40TW by Infineon Technologies represents the pinnacle of dual common cathode Schottky diode technology, meticulously engineered for high-speed switching applications. Delivering an ultra-low forward voltage drop of 0.33V at 10mA and a maximum reverse voltage of 40V, this diode is purpose-built for low voltage, high frequency applications. Its low capacitance of 2.5pF at 0V bias and high switching speed make it the perfect choice for integration into RF and microwave circuits, as well as high-speed data transmission systems. Enclosed in a compact SOT323 surface mount package, the BAS40TW is the ideal solution for designs with limited board space. Additionally, this diode is characterized by its outstanding reliability and robustness, guaranteeing consistent performance across a wide range of operating conditions

Hauptmerkmale

Low Forward Voltage Drop
Fast Switching
Ultra-Small Surface Mount Package
PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection

Spezifikationen

Diode Configuration	3 Independent	Technology	Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	40 V	Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1 V @ 40 mA	Speed	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)	5 ns	Current - Reverse Leakage @ Vr	200 nA @ 30 V
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 125°C	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BAS40

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