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Siehe Technische Spezifikationen

BCP55-16 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 100MHz 1.3 W Surface Mount SOT-223

Hersteller:

DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Herstellerteil #:

BCP55-16
Datenblatt:

BCP55-16 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

COLLECTOR
EDA/CAD Modelle:

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BCP55-16 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 100MHz 1.3 W Surface Mount SOT-223

Hauptmerkmale

High current
Three current gain selections
High power dissipation capability

Anwendung

Linear voltage regulators
Power management
Low-side switches
MOSFET drivers
Battery-driven devices
Amplifiers

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Case Connection	COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)	1 A	Collector-Emitter Voltage-Max	60 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	100
JESD-30 Code	R-PDSO-G4	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	4
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	2 W	Surface Mount	YES
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	100 MHz	VCEsat-Max	0.5 V

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