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BC857BQC-QZ +BOM

PNP general-purpose transistor in an ultra small DFN1412D-3 (SOT8009) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with side-wettable flanks.

Hersteller:

Nexperia Semiconductor (NXP)
Herstellerteil #:

BC857BQC-QZ
Datenblatt:

BC857BQC-QZ Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101, BC857xQC-Q
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

45 V
EDA/CAD Modelle:

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BC857BQC-QZ Allgemeine Beschreibung

PNP general-purpose transistor in an ultra small DFN1412D-3 (SOT8009) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with side-wettable flanks.

Hauptmerkmale

High power dissipation capability
Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint
Smaller footprint compared to conventional leaded SMD packages
Low package height of 0.5 mm
Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

Nexperia Semiconductor (NXP) Originalbestand

Anwendung

General-purpose switching and amplification
Space restricted applications

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	Automotive, AEC-Q101, BC857xQC-Q
Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 2mA, 5V
Power - Max	360 mW	Frequency - Transition	100MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount, Wettable Flank
Base Product Number	BC857

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