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Siehe Technische Spezifikationen

BCX52-10 +BOM

Trans GP BJT PNP 60V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Hersteller:

Micro Commercial Components
Herstellerteil #:

BCX52-10
Datenblatt:

BCX52-10 Datenblatt (PDF)
Description:

Bipolar Transistors - BJT
Datasheet:

Datasheet
Availability:

N/A
Technology:

Si
EDA/CAD Modelle:

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BCX52-10 Allgemeine Beschreibung

PNP medium power transistor in a SOT89 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: BCX55.

Hauptmerkmale

High current
Three current gain selections
High power dissipation capability
Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity
AEC-Q101 qualified

Anwendung

Medium Power Switching or Amplification Applications
AF driver and output stages

Spezifikationen

Description	Bipolar Transistors - BJT	Datasheet	Datasheet
Availability	N/A	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	PNP
Configuration	Single	Maximum DC Collector Current	1 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Pd - Power Dissipation	1 W
Gain Bandwidth Product fT	125 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C

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