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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BDW51C +BOM

Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-3

Hersteller:

TT ELECTRONICS
Herstellerteil #:

BDW51C
Datenblatt:

BDW51C Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.95
EDA/CAD Modelle:

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BDW51C Allgemeine Beschreibung

DESCRIPTION:The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6674, 2N6675 types are NPN Silicon Triple Diffused Mesa Power Transistors designed for high voltage switching applications.MARKING: FULL PART NUMBER

Spezifikationen

Source Content uid	BDW51C	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.95	Case Connection	COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)	15 A	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	20	JEDEC-95 Code	TO-3
JESD-30 Code	O-MBFM-P2	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Temperature-Max	200 °C
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation Ambient-Max	125 W
Power Dissipation-Max (Abs)	125 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	PIN/PEG
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	3 MHz

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