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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BDV64BG +BOM

10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

BDV64BG
Datenblatt:

BDV64BG Datenblatt (PDF)
Case Outline:

340L
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

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BDV64BG Allgemeine Beschreibung

When it comes to building amplifiers for various purposes, having the right components can make all the difference. The BDV64BG stands out as a top choice for users looking for a high-quality NPN Bipolar Power Transistor that delivers consistent results and long-lasting performance. Trust in the BDV64BG to meet your amplifier needs with precision and reliability

Hauptmerkmale

Fast Switching Time
Low Input Current
High Power Handling
Efficient Thermal Design
Wide Operating Temperature

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	340L
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE
Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single
Transistor Polarity	PNP	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Maximum DC Collector Current	10 A	Maximum Collector Cut-off Current	400 uA
Mounting Style	Through Hole	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	BDV64B
DC Collector/Base Gain hfe Min	1000	Height	12.2 mm
Length	15.2 mm	Product Type	Darlington Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	Transistors
Width	4.9 mm	Unit Weight	0.229281 oz

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