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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BLF6G20LS-140 +BOM

RF MOSFET Transistors LDMOS TNS

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

BLF6G20LS-140
Datenblatt:

BLF6G20LS-140 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

SOURCE
Configuration:

SINGLE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BLF6G20LS-140

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

BLF6G20LS-140 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 28 V 1 A 1.93GHz ~ 1.99GHz 16.5dB 35.5W SOT502B

Hauptmerkmale

Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 1930 MHz and 1990 MHz, a

supply voltage of 28 V and an IDq of 1000 mA:

Average output power = 35.5 W

Power gain = 16.5 dB (typ)

Efficiency = 30 %

IMD3 = -37 dBc

ACPR = -40 dBc

Easy power control

Integrated ESD protection

Excellent ruggedness

High efficiency

Excellent thermal stability

Designed for broadband operation (1800 MHz to 2000 MHz)

Internally matched for ease of use

Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Anwendung

RF power amplifiers for GSM, GSM EDGE, W-CDMA and CDMA base stations and

multi carrier applications in the 1800 MHz to 2000 MHz frequency range

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Case Connection	SOURCE
Configuration	SINGLE	DS Breakdown Voltage-Min	65 V
Drain Current-Max (ID)	39 A	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band	L BAND	JESD-30 Code	R-CDFP-F2
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	AMPLIFIER	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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