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Siehe Technische Spezifikationen

NPT35015D +BOM

RF JFET Transistors Transistor,GaN,3000-4000MHz

Hersteller:

MACOM Technology Solutions
Herstellerteil #:

NPT35015D
Datenblatt:

NPT35015D Datenblatt (PDF)
Technology:

HEMT
Frequency:

3.3GHz ~ 3.8GHz
Gain:

10.5dB
Voltage - Test:

28 V
EDA/CAD Modelle:

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NPT35015D Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 28 V 200 mA 3.3GHz ~ 3.8GHz 10.5dB 1.7W 8-SOIC-EP

MACOM Technology Solutions Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs	Series	-
Technology	HEMT	Frequency	3.3GHz ~ 3.8GHz
Gain	10.5dB	Voltage - Test	28 V
Current Rating (Amps)	5A	Noise Figure	-
Current - Test	200 mA	Power - Output	1.7W
Voltage - Rated	100 V	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	NPT35015	Product Category:	RF JFET Transistors
Transistor Type:	HEMT	Technology:	GaN-on-Si
Operating Frequency:	3.3 GHz to 3.8 GHz	Gain:	10.5 dB
Transistor Polarity:	N-Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Id - Continuous Drain Current:	5 A	Output Power:	1.7 W
Maximum Operating Temperature:	+ 200 C	Pd - Power Dissipation:	28 W
Mounting Style:	SMD/SMT	Product Type:	RF JFET Transistors
Rds On - Drain-Source Resistance:	450 mOhms	Factory Pack Quantity:	95
Subcategory:	Transistors	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	- 1.8 V

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