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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BLP0427M9S20 +BOM

Power Amplifier Transistor for RF Applications

Hersteller:

Ampleon
Herstellerteil #:

BLP0427M9S20
Datenblatt:

BLP0427M9S20 Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Configuration:

Single
Type:

MOSFET
Channel Mode:

Enhancement
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BLP0427M9S20

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen BLP0427M9S20-Treiber von Ampleon an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung BLP0427M9S20.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Active
Configuration	Single	Type	MOSFET
Channel Mode	Enhancement	Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1	Mode of Operation	Pulsed CW
Process Technology	LDMOS	Maximum Drain Source Voltage (V)	65
Maximum Gate Source Voltage (V)	13	Maximum Gate Threshold Voltage (V)	2(Typ)
Maximum VSWR	10	Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	140
Maximum IDSS (uA)	1.4	Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	500(Typ)@5.75V
Typical Forward Transconductance (S)	0.3	Output Power (W)	20
Typical Power Gain (dB)	19	Maximum Frequency (MHz)	2700
Minimum Frequency (MHz)	400	Typical Drain Efficiency (%)	22
Minimum Operating Temperature (°C)	-65	Maximum Operating Temperature (°C)	225
Mounting	Surface Mount	PCB changed	3
Pin Count	3

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