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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BLP10H610 +BOM

BLP10H610 exemplifies cutting-edge technology, delivering robustness and precision in signal amplification and switching

Hersteller:

Ampleon
Herstellerteil #:

BLP10H610
Datenblatt:

BLP10H610 Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Configuration:

Dual Common Source
Channel Mode:

Enhancement
Channel Type:

N
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

BLP10H610 Allgemeine Beschreibung

General descriptionA 10 W plastic LDMOS power transistor for broadcast transmitter and ISM applications atfrequencies from HF to 1400 MHz.Features and benefits Easy power control Integrated ESD protection Excellent ruggedness High efficiency Excellent thermal stability Designed for broadband operation (HF to 1400 MHz) Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)Applications Industrial, scientific and medical applications Broadcast transmitter applications

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Obsolete
Configuration	Dual Common Source	Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N	Number of Elements per Chip	2
Mode of Operation	CW	Process Technology	LDMOS
Maximum Drain Source Voltage (V)	104	Maximum Gate Source Voltage (V)	11
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	1.8(Typ)	Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	120
Maximum IDSS (uA)	1.2	Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	4.28(Typ)
Output Power (W)	20	Typical Power Gain (dB)	22
Maximum Frequency (MHz)	1400	Minimum Frequency (MHz)	10
Typical Drain Efficiency (%)	58(Max)	Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Maximum Operating Temperature (°C)	150	Mounting	Surface Mount
PCB changed	12	Pin Count	12

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After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..