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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BLP8G27-10Z +BOM

Low-noise, high-power transistor designed for wireless communication device

Hersteller:

Ampleon
Herstellerteil #:

BLP8G27-10Z
Datenblatt:

BLP8G27-10Z Datenblatt (PDF)
Place:

Republic of Korea
Last_inspection_date:

15 OCT 2022
Htsusa:

8541290075
Ppap:

False
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BLP8G27-10Z

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

BLP8G27-10Z Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 28 V 110 mA 2.14GHz 17dB 2W 16-HVSON (6x4)

Spezifikationen

place	Republic of Korea	launch_date
last_inspection_date	15 OCT 2022	supplier_cage_code
htsusa	8541290075	schedule_b
ppap	False	aec	False

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