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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BP103-3 +BOM

Sensitive photodiode for m wavelength detecti

Hersteller:

SIEMENS A G
Herstellerteil #:

BP103-3
Datenblatt:

BP103-3 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Additional Feature:

HIGH RELIABILITY
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:

50 V
Configuration:

SINGLE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BP103-3

BP103-3 Allgemeine Beschreibung

Phototransistors 850nm Top View TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
Additional Feature	HIGH RELIABILITY	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min	50 V
Configuration	SINGLE	Dark Current-Max	100 nA
Infrared Range	YES	JESD-609 Code	e0
Light Current-Nom	0.6 mA	Mounting Feature	THROUGH HOLE MOUNT
Number of Functions	1	On-State Current-Max	0.1 A
Operating Temperature-Max	80 °C	Operating Temperature-Min	-40 °C
Optoelectronic Device Type	PHOTO TRANSISTOR	Peak Wavelength	850 nm
Power Dissipation-Max	0.3 W	Response Time-Max	0.000007 s
Shape	ROUND	Size	4.2 mm
Surface Mount	NO	Terminal Finish	Tin/Lead (Sn/Pb)

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