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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BQ4013YMA-70N +BOM

NVSRAM with 32-pin DIP package, offering reliable data storage and retrieval

Hersteller:

Texas Instruments, Inc
Herstellerteil #:

BQ4013YMA-70N
Datenblatt:

BQ4013YMA-70N Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

NVSRAM
Technology:

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Size:

1Mbit
EDA/CAD Modelle:

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BQ4013YMA-70N Allgemeine Beschreibung

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mbit Parallel 70 ns 32-DIP Module (18.42x42.8)

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	NVSRAM
Technology	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Memory Size	1Mbit
Memory Organization	128K x 8	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	70ns	Access Time	70 ns
Voltage - Supply	4.5V ~ 5.5V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	BQ4013
feature-organization	128Kx8	feature-minimum-operating-supply-voltage-v	4.5
feature-maximum-access-time-ns	70	feature-process-technology
feature-maximum-operating-supply-voltage-v	5.5	feature-maximum-operating-current-ma	50
feature-packaging		feature-rad-hard
feature-pin-count	32	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-escc-qualified
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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