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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BSC028N06NS +BOM

This rugged and reliable Transistor ensures high reliability and long lifespan in harsh environment

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BSC028N06NS
Datenblatt:

BSC028N06NS Datenblatt (PDF)
IDpuls Max:

528.0 A
Ptot Max:

83.0 W
VDS Max:

60.0 V
Polarity:

N
EDA/CAD Modelle:

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BSC028N06NS Allgemeine Beschreibung

The TDSON-8 package further enhances the versatility of this MOSFET by providing efficient thermal dissipation and reliable electrical connections. Whether used in industrial machinery, automotive systems, or power supplies, the BSC028N06NS offers exceptional performance and stability. Its compact design and robust construction make it an ideal component for demanding applications that require high power handling capabilities

Spezifikationen

IDpuls max	528.0 A	Ptot max	83.0 W
VDS max	60.0 V	Polarity	N
RDS (on) max	2.8 mΩ	ID max	132.0 A
VGS(th) max	3.3 V	VGS(th) min	2.1 V
Operating Temperature max	150.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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