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IRF640N +BOM

High-power N-channel MOSFET for demanding applications

IRF640N Allgemeine Beschreibung

In the realm of power management, the IRF640N stands out as a top performer. Its wide portfolio of devices caters to a range of applications, including inverters, load switches, and more. With a focus on efficiency and reliability, the IRF640N is a valuable tool for engineers seeking to optimize their designs. Whether you're working on a complex SMPS system or a simple battery-powered application, the IRF640N has the capabilities to support your project effectively

Spezifikationen

Tj max 175.0 °C Mounting THT
Polarity N Ptot max 150.0 W
RthJC max 1.0 K/W VDS max 200.0 V
VGS max 20.0 V RDS (on) max 150.0 mΩ
VGS(th) max 4.0 V VGS(th) min 2.0 V
ID max 18.0 A Operating Temperature max 175.0 °C
Operating Temperature min -55.0 °C

Servicerichtlinien und andere

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

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Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.

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In Stock: 5.722

Minimum Order: 1

Menge. Einzelpreis Ext. Preis
5+ $0,285 $1,42
50+ $0,232 $11,60
150+ $0,209 $31,35
500+ $0,180 $90,00
2000+ $0,167 $334,00
5000+ $0,159 $795,00

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