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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BSC070N10NS3G +BOM

High-power N-channel MOSFET for demanding applications

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BSC070N10NS3G
Datenblatt:

BSC070N10NS3G Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

8
Reach Compliance Code:

not_compliant
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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BSC070N10NS3G Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Spezifikationen

Source Content uid	BSC070N10NS3G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	8
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	160 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	92 A	Drain-source On Resistance-Max	0.007 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	21 pF
JESD-30 Code	R-PDSO-N8	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	114 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	368 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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