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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BSC110N06NS3G +BOM

OptiMOS 3 technology enables low conduction losses and high efficiency

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BSC110N06NS3G
Datenblatt:

BSC110N06NS3G Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

8
Reach Compliance Code:

not_compliant
EDA/CAD Modelle:

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BSC110N06NS3G Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Spezifikationen

Source Content uid	BSC110N06NS3G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	8
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	22 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	60 V
Drain Current-Max (ID)	12 A	Drain-source On Resistance-Max	0.011 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-N8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	50 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	200 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	40
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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