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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BSC190N15NS3GATMA1 +BOM

TDSON-8 OptiMOS Power Mosfet Single N-Channel 150 V 19 mOhm 23 nC

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BSC190N15NS3GATMA1
Datenblatt:

BSC190N15NS3GATMA1 Datenblatt (PDF)
FunctionalPacking:

TAPE & REEL
AddProductInfo:

MS, RoHS compliant, non dry
Msl:

1
HalogenFree:

yes
EDA/CAD Modelle:

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BSC190N15NS3GATMA1 Allgemeine Beschreibung

The BSC190N15NS3GATMA1 is a high-performance N-channel MOSFET designed for a variety of applications, including automotive and industrial uses. With a continuous drain current of 50A and a drain source voltage of 150V, this MOSFET offers reliable and efficient power management. Its low on-resistance of 0.016ohm ensures minimal power loss and heat generation, making it an ideal choice for high-power applications. With a threshold voltage of 3V and a maximum operating temperature of 150°C, this MOSFET is capable of delivering consistent performance in challenging conditions

Hauptmerkmale

Superior thermal management
High temperature tolerance
Fast switching speed
Low current draw
High efficiency operation
Rugged and reliable construction

Anwendung

Green technology
Drive innovation
Clean energy source

Spezifikationen

functionalPacking	TAPE & REEL	addProductInfo	MS, RoHS compliant, non dry
msl	1	halogenFree	yes
customerInfo	STANDARD	fgr	I54
productClassification	COM	productStatusInfo	active
hfgr	A	pbFree	yes
moistureProtPack	NON DRY	orderingCode	SP000416636
opn	BSC190N15NS3GATMA1	completelyPbFree	no
sapMatnrSali	SP000416636

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