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Siehe Technische Spezifikationen

BSC320N20NS3G +BOM

A top-notch choice for high-voltage switching requirements, this chip deliver

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BSC320N20NS3G
Datenblatt:

BSC320N20NS3G Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

8
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

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BSC320N20NS3G Allgemeine Beschreibung

N-Channel 200 V 36A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Spezifikationen

Source Content uid	BSC320N20NS3G	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	8	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	190 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	200 V	Drain Current-Max (ID)	36 A
Drain-source On Resistance-Max	0.032 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	4 pF	JESD-30 Code	R-PDSO-F8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	125 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	144 A	Qualification Status	Not Qualified
Reference Standard	IEC-61249-2-21	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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