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BSM25GD120DN2 +BOM

High-power semiconductor device for motor driv

  • Hersteller:

    Infineon

  • Herstellerteil #:

    BSM25GD120DN2

  • Datenblatt:

    BSM25GD120DN2 Datenblatt (PDF) pdf-icon

  • Product:

    IGBT Silicon Modules

  • Configuration:

    Full Bridge

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

    1.2 kV

  • Collector-Emitter Saturation Voltage:

    2.5 V

email Email: [email protected]
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BSM25GD120DN2 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Full Bridge 1200 V 35 A 200 W Chassis Mount Module

bsm25gd120dn2 bsm25gd120dn2

Hauptmerkmale

  • 3-phase Full bridge
  • 130ns Rise time
  • 100ns Fall time
  • ±20V Gate-emitter voltage
bsm25gd120dn2 bsm25gd120dn2
bsm25gd120dn2

Spezifikationen

Product Category IGBT Modules Product IGBT Silicon Modules
Configuration Full Bridge Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V Continuous Collector Current at 25 C 35 A
Gate-Emitter Leakage Current 180 nA Pd - Power Dissipation 200 W
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Height 17 mm Length 107.5 mm
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V Mounting Style Chassis Mount
Product Type IGBT Modules Factory Pack Quantity 10
Subcategory IGBTs Technology Si
Width 45 mm Part # Aliases SP000100370 BSM25GD120DN2BOSA1
Unit Weight 6.349313 oz

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Bewertungen und Rezensionen

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B
B**y 10.23.2023

Very good item. no problem

16
E
E**n 12.21.2020

The product corresponds to the description. But shipping more than 1 month

16
Z
Z**y 07.17.2020

It's been 17 days. Packing is normal. In appearance quality. I did not check in the work.

14

Rezensionen

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