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Siehe Technische Spezifikationen

BSM300GB120DLC +BOM

Advanced N-CH IGBT technology enables high-speed switching and reduced energy losse

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BSM300GB120DLC
Datenblatt:

BSM300GB120DLC Datenblatt (PDF)
Product:

IGBT Silicon Modules
Configuration:

Half Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:

2.1 V

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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BSM300GB120DLC Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Half Bridge 1200 V 625 A 2500 W Chassis Mount Module

Spezifikationen

Product Category	IGBT Modules	Product	IGBT Silicon Modules
Configuration	Half Bridge	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage	2.1 V	Continuous Collector Current at 25 C	625 A
Gate-Emitter Leakage Current	400 nA	Pd - Power Dissipation	2.5 kW
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Height	30.5 mm	Length	106.4 mm
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V	Mounting Style	Chassis Mount
Product Type	IGBT Modules	Factory Pack Quantity	10
Subcategory	IGBTs	Technology	Si
Width	61.4 mm	Part # Aliases	SP000095949 BSM300GB120DLCHOSA1
Unit Weight	13.009699 oz

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