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BSP135H6327XTSA1 +BOM

N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BSP135H6327XTSA1
Datenblatt:

BSP135H6327XTSA1 Datenblatt (PDF)
Series:

SIPMOS®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

600 V
EDA/CAD Modelle:

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BSP135H6327XTSA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

Hauptmerkmale

Silicon-based device performance
Compact power electronics design
High-reliability DC-DC conversion
Fast-switching frequency control
Low-power consumption capability
Smart sensor interface development

Anwendung

Smart home solutions
Wireless networks
Automotive systems
Data storage devices

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	SIPMOS®
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 94µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.9 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	146 pF @ 25 V
FET Feature	Depletion Mode	Power Dissipation (Max)	1.8W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BSP135	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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