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Siehe Technische Spezifikationen

BSS126H6327XTSA2 +BOM

SOT23 Transistor ideal for Amplification Applications, PNP Type with 45V VCEO and 800mA IC

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BSS126H6327XTSA2
Datenblatt:

BSS126H6327XTSA2 Datenblatt (PDF)
Series:

SIPMOS®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSS126H6327XTSA2

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

BSS126H6327XTSA2 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

Hauptmerkmale

Depletion mode
dv/dt rated
Available with V
GS(th)
Halogen free; Pb-free lead plating; RoHS compliant
Qualified according to AEC Q101

Anwendung

Automotive
Consumer
DC-DC
eMobility
Onboard charger
Telecom

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	SIPMOS®
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	500Ohm @ 16mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 8µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	28 pF @ 25 V
FET Feature	Depletion Mode	Power Dissipation (Max)	500mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BSS126	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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