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Siehe Technische Spezifikationen

BSS138PW +BOM

MOSFET,n-channel,60V,320mA,0.9ohm,SOT323 NXP BSS138PW N-channel MOSFET Transistor, 320 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323

Hersteller:

NEXPERIA
Herstellerteil #:

BSS138PW
Datenblatt:

BSS138PW Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Date Of Intro:

2017-02-01
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

BSS138PW Allgemeine Beschreibung

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Hauptmerkmale

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Source Content uid	BSS138PW	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Date Of Intro	2017-02-01	Additional Feature	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	60 V
Drain Current-Max (ID)	0.32 A	Drain-source On Resistance-Max	1.6 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	0.83 W
Reference Standard	AEC-Q101; IEC-60134	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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