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Siehe Technische Spezifikationen

2N7002BK,215 +BOM

60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

2N7002BK,215
Datenblatt:

2N7002BK,215 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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2N7002BK,215 Allgemeine Beschreibung

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) package using Trench MOSFET technology.

Hauptmerkmale

Logic-level compatible
Very fast switching
Trench MOSFET technology
ESD protection up to 2 kV
AEC-Q101 qualified

Anwendung

Relay driver
High-speed line driver
Low-side load switch
Switching circuits

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	350 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	1.6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.1 V
Qg - Gate Charge	600 pC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	440 mW
Channel Mode	Enhancement	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Part # Aliases	934063609215	Unit Weight	0.000282 oz

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