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Siehe Technische Spezifikationen

BSS169H6327XTSA1 +BOM

MOSFET in SOT-23-3 package, featuring N-channel design, supporting voltages up to 100V and currents up to 90mA

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BSS169H6327XTSA1
Datenblatt:

BSS169H6327XTSA1 Datenblatt (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

yes
Technology:

Si
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSS169H6327XTSA1

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

BSS169H6327XTSA1 Allgemeine Beschreibung

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 170 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 6 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 27 / Rise Time ns = 2.7 / Turn-OFF Delay Time ns = 11 / Turn-ON Delay Time ns = 2.9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 360

Hauptmerkmale

Low noise emission level
Compact and lightweight design
Robust mechanical structure

Anwendung

Reliable performance
Easy installation
Long lifespan

Spezifikationen

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	Product Category	MOSFET
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	170 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	2.9 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.9 V	Qg - Gate Charge	2.1 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	360 mW	Channel Mode	Depletion
Qualification	AEC-Q101	Series	BSS169
Configuration	Single	Fall Time	27 ns
Forward Transconductance - Min	0.2 S	Height	1.1 mm
Length	2.9 mm	Product	MOSFET Small Signal
Product Type	MOSFET	Rise Time	2.7 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	SIPMOS Small Signal Transistor
Typical Turn-Off Delay Time	11 ns	Typical Turn-On Delay Time	2.9 ns
Width	1.3 mm	Part # Aliases	BSS169 H6327 SP000702572
Unit Weight	0.001199 oz

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E**a 08.20.2020

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