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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BSS308PEH6327XTSA1 +BOM

SOT-23 P-Channel MOSFET transistor rated for 30V and 2A, available in Tape and Reel packaging

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BSS308PEH6327XTSA1
Datenblatt:

BSS308PEH6327XTSA1 Datenblatt (PDF)
FunctionalPacking:

TAPE & REEL
AddProductInfo:

MS, RoHS compliant, non dry
Msl:

1
HalogenFree:

yes
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSS308PEH6327XTSA1

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BSS308PEH6327XTSA1 Allgemeine Beschreibung

3) Infineon's BSS308PEH6327XTSA1 is an enhancement mode p-channel power MOSFET that is avalanche rated and RoHS compliant. Its superior on-state resistance and figure of merit characteristics make it an excellent choice for applications such as notebook power supplies, e-mobility systems, and onboard chargers. With its small signal packages approved to AEC Q101, this MOSFET is a reliable and high-performance solution for demanding power system designs

Hauptmerkmale

Low electromagnetic interference (EMI)
High-quality materials ensure consistent performance
Packaging designed for easy connection and disconnection

Anwendung

Innovative power control
Efficient power solutions
Secure power management

Spezifikationen

functionalPacking	TAPE & REEL	addProductInfo	MS, RoHS compliant, non dry
msl	1	halogenFree	yes
customerInfo	STANDARD	fgr	J09
productClassification	COM	productStatusInfo	active and preferred
hfgr	B	pbFree	yes
moistureProtPack	NON DRY	orderingCode	SP000928942
opn	BSS308PEH6327XTSA1	completelyPbFree	yes
sapMatnrSali	SP000928942

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