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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

CA3227E +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

CA3227E
Datenblatt:

CA3227E Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Quint
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

8 V
Collector- Base Voltage VCBO:

12 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CA3227E

CA3227E Allgemeine Beschreibung

RF Transistor 5 NPN 8V 20mA 3GHz 85mW Through Hole 16-PDIP

Spezifikationen

Product Category:	Bipolar Transistors - BJT	Transistor Polarity:	NPN
Configuration:	Quint	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	8 V
Collector- Base Voltage VCBO:	12 V	Emitter- Base Voltage VEBO:	-
Maximum DC Collector Current:	20 mA	Pd - Power Dissipation:	85 mW
Minimum Operating Temperature:	- 65 C	Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:	40 at 1 mA, 6 V	Height:	4.95 mm
Length:	19.68 mm	Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors	Technology:	Si
Width:	7.11 mm	Unit Weight:	0.057419 oz

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