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Siehe Technische Spezifikationen

CAB008M12GM3T +BOM

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 146A (Tj) Chassis Mount Module

Hersteller:

Wolfspeed
Herstellerteil #:

CAB008M12GM3T
Datenblatt:

CAB008M12GM3T Datenblatt (PDF)
Product:

Power MOSFET Modules
Type:

Half-Bridge Module
Technology:

SiC
Vgs - Gate-Source Voltage:

- 4 V, + 15 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CAB008M12GM3T

CAB008M12GM3T Allgemeine Beschreibung

Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM

Spezifikationen

Product Category	Discrete Semiconductor Modules	Product	Power MOSFET Modules
Type	Half-Bridge Module	Technology	SiC
Vgs - Gate-Source Voltage	- 4 V, + 15 V	Mounting Style	Screw Mount
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	WolfPACK	Configuration	Dual
Id - Continuous Drain Current	146 A	Product Type	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance	8 mOhms	Factory Pack Quantity	18
Subcategory	Discrete Semiconductor Modules	Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.2 kV	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.6 V

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