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CGHV14500F +BOM

RF Mosfet 50 V 500 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 17dB 500W 440117

Hersteller:

WOLFSPEED, INC
Herstellerteil #:

CGHV14500F
Datenblatt:

CGHV14500F Datenblatt (PDF)
Series:

GaN
Technology:

HEMT
Frequency:

1.2GHz ~ 1.4GHz
Gain:

17dB
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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CGHV14500F Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 50 V 500 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 17dB 500W 440117

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs	Series	GaN
Technology	HEMT	Frequency	1.2GHz ~ 1.4GHz
Gain	17dB	Voltage - Test	50 V
Current Rating (Amps)	36A	Noise Figure	-
Current - Test	500 mA	Power - Output	500W
Voltage - Rated	125 V	Base Product Number	CGHV14500
Product Category:	RF JFET Transistors	Transistor Type:	HEMT
Technology:	GaN	Operating Frequency:	1.2 GHz to 1.4 GHz
Gain:	17.1 dB	Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	150 V	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	- 10 V to 2 V
Id - Continuous Drain Current:	36 A	Output Power:	510 W
Maximum Drain Gate Voltage:	-	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 130 C	Pd - Power Dissipation:	-
Mounting Style:	Screw Mount	Packaging:	Tray
Application:	-	Class:	-
Configuration:	Single	Development Kit:	CGHV14500F-TB
Fall Time:	-	Forward Transconductance - Min:	-
Gate-Source Cutoff Voltage:	-	Height:	-
Length:	-	NF - Noise Figure:	-
Operating Temperature Range:	-	P1dB - Compression Point:	-
Product:	GaN HEMT	Product Type:	RF JFET Transistors
Rds On - Drain-Source Resistance:	-	Rise Time:	-
Factory Pack Quantity:	1	Subcategory:	Transistors
Typical Turn-Off Delay Time:	-	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	- 3 V
Width:	-	Unit Weight:	0.866293 oz

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O**n 07.23.2022

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