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TO-247 Silicon Carbide N-Channel MOSFET with 1.2KV Voltage and 10A Current Rating
TO-247-3Hersteller:
Herstellerteil #:
C2M0280120D
Datenblatt:
Series:
Z-FET™
FET Type:
N-Channel
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
1200 V
EDA/CAD Modelle:
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The C2M0280120D power MOSFET transistor from Cree Inc. is a top-of-the-line product designed for demanding power applications. With a voltage rating of 1200 volts and a current rating of 28 amps, this transistor is built to handle high levels of power with ease. Its silicon carbide (SiC) technology sets it apart from traditional silicon-based transistors, offering superior performance and efficiency
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs | Series | Z-FET™ |
FET Type | N-Channel | Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 370mOhm @ 6A, 20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1.25mA (Typ) | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4 nC @ 20 V |
Vgs (Max) | +25V, -10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 259 pF @ 1000 V |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Base Product Number | C2M0280120 | Pin Count | 3 |
Released Date | Oct 1, 2019 | Last Modified Date | Mar 7, 2023 4:10 PM UTC |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $10,416 | $10,42 |
10+ | $9,233 | $92,33 |
30+ | $8,511 | $255,33 |
90+ | $7,905 | $711,45 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
Alle Stücklisten (BOM) können per E-Mail gesendet werden an
[email protected],
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12 Std.
CAS120M12BM2
Wolfspeed
Silicon Carbide N-channel Transistor with 1.2KV Voltage Rating, 193A Current Capacity, Packaged in a 7-Pin Box
CGHV96100F2
Macom
High-power amplification for wireless communication system
CGHV1F025S
WOLFSPEED, INC
120V N-Channel RF MOSFET with 2A Current Capability, Packaged in 12-Pin DFN EP
CGH40006S
WOLFSPEED, INC
Power rating of 6 Watts
CGH40045F
Macom
Frequency range: DC to Hz, power output: up to W
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