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CGHV60170D-GP4 +BOM

RF Mosfet 50 V 260 mA 6GHz 17dB 170W Die

  • Hersteller:

    Wolfspeed

  • Herstellerteil #:

    CGHV60170D-GP4

  • Datenblatt:

    CGHV60170D-GP4 Datenblatt (PDF) pdf-icon

  • Shipping Restrictions:

    This product may require additional documentation to export from the United States.

  • Transistor Type:

    HEMT

  • Technology:

    GaN

  • Operating Frequency:

    6 GHz

CGHV60170D-GP4 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 50 V 260 mA 6GHz 17dB 170W Die

Spezifikationen

Product Category RF JFET Transistors Shipping Restrictions This product may require additional documentation to export from the United States.
Transistor Type HEMT Technology GaN
Operating Frequency 6 GHz Gain 18 dB
Transistor Polarity N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 50 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage - Id - Continuous Drain Current 12.6 A
Output Power 170 W Maximum Drain Gate Voltage -
Pd - Power Dissipation - Mounting Style SMD/SMT
Application - Development Kit -
Fall Time - Forward Transconductance - Min -
Gate-Source Cutoff Voltage - Height 100 um
Length 5.4 mm NF - Noise Figure -
Number of Channels 8 Channel Operating Temperature Range -
P1dB - Compression Point - Product GaN HEMTs
Product Type RF JFET Transistors Rds On - Drain-Source Resistance -
Rise Time - Factory Pack Quantity 10
Subcategory Transistors Typical Turn-Off Delay Time -
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage - Width 820 um

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