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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

CY14B101L-SZ45XC +BOM

Fast and reliable storage for IoT devices and gateway

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

CY14B101L-SZ45XC
Datenblatt:

CY14B101L-SZ45XC Datenblatt (PDF)
Interface Type:

Parallel
Memory Size:

1 Mbit
Organization:

128 k x 8
Data Bus Width:

8 bit
EDA/CAD Modelle:

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CY14B101L-SZ45XC Allgemeine Beschreibung

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mbit Parallel 45 ns 32-SOIC

Hauptmerkmale

Functional Description
The Cypress CY14B101L is a fast static RAM with a nonvolatile element in each memory cell. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology producing the world’s most reliable nonvolatile memory. The SRAM provides unlimited read and write cycles, while independent, nonvolatile data resides in the highly reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the nonvolatile elements (the STORE operation) takes place automatically at power down. On power up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory. Both the STORE and RECALL operations are also available under software control.

Spezifikationen

Product Category:	NVRAM	Interface Type:	Parallel
Memory Size:	1 Mbit	Organization:	128 k x 8
Data Bus Width:	8 bit	Access Time:	45 ns
Supply Voltage - Max:	3.6 V	Supply Voltage - Min:	2.7 V
Operating Supply Current:	50 mA	Minimum Operating Temperature:	0 C
Maximum Operating Temperature:	+ 70 C	Series:	CY14B101L-SZ
Height:	2.29 mm	Length:	20.87 mm
Moisture Sensitive:	Yes	Mounting Style:	SMD/SMT
Operating Supply Voltage:	3.3 V	Product Type:	NVRAM
Factory Pack Quantity:	22	Subcategory:	Memory & Data Storage
Type:	NVSRAM	Width:	7.59 mm
Unit Weight:	0.027023 oz

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