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CY14B101LA-SZ25XI +BOM

Compact and powerful: This low-power SRAM chip packs b capacity into a small packag

CY14B101LA-SZ25XI Allgemeine Beschreibung

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mbit Parallel 25 ns 32-SOIC

Spezifikationen

Part Life Cycle Code Obsolete Reach Compliance Code compliant
JESD-30 Code R-PDSO-G32 Memory IC Type NON-VOLATILE SRAM
Memory Organization 128KX8 Memory Width 8
Moisture Sensitivity Level 3 Number of Functions 1
Number of Terminals 32 Number of Words Code 128000
Operating Mode ASYNCHRONOUS Parallel/Serial PARALLEL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Surface Mount YES
Technology CMOS Temperature Grade INDUSTRIAL
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20

Servicerichtlinien und andere

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