Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

CY14B108N-BA25XI +BOM

8Mb Non-Volatile Random Access Memory with 512K x 16 configuration

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

CY14B108N-BA25XI
Datenblatt:

CY14B108N-BA25XI Datenblatt (PDF)
FunctionalPacking:

TRAY
AddProductInfo:

8 Mb 2.7V-3.6V Parallel 25 ns Ind, TFBGA-48
Msl:

3
HalogenFree:

undefined

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

CY14B108N-BA25XI Allgemeine Beschreibung

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 8Mbit Parallel 25 ns 48-FBGA (6x10)

Hauptmerkmale

Improved power efficiency
Simplified interface
Increase reliability
Enhanced security features

Anwendung

For industrial use
Car part electronics
Gadget components

Spezifikationen

functionalPacking	TRAY	addProductInfo	8 Mb 2.7V-3.6V Parallel 25 ns Ind, TFBGA-48
msl	3	halogenFree	undefined
customerInfo	STANDARD	fgr	B40
productClassification	ASP	productStatusInfo	active and preferred
hfgr	D	pbFree	yes
moistureProtPack	DRY	orderingCode	SP005641409
opn	CY14B108N-BA25XI	completelyPbFree	undefined
sapMatnrSali	SP005641409

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..