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Siehe Technische Spezifikationen

CY14E256LA-SZ45XI +BOM

Non-Volatile SRAM

Hersteller:

Cypress Semiconductor Corp
Herstellerteil #:

CY14E256LA-SZ45XI
Datenblatt:

CY14E256LA-SZ45XI Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

compliant
Access Time-Max:

45 ns
I/O Type:

COMMON
EDA/CAD Modelle:

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CY14E256LA-SZ45XI Allgemeine Beschreibung

Meet your non-volatile memory needs with the CY14E256LA-SZ45XI NVRAM chip. This 256Kbit memory device offers a fast access time of 45ns and features a 32K x 8bit memory configuration. Housed in a 32-pin SOIC case style, the CY14E256LA-SZ45XI operates effectively in temperatures ranging from -40°C to 85°C and has a supply voltage range of 4.5V to 5.5V. As a RoHS phthalates compliant component, it meets environmental standards and is suitable for a variety of applications. With an MSL rating of MSL 3, this NVRAM chip has a floor life of 168 hours, ensuring its reliability and performance

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code	compliant
Access Time-Max	45 ns	I/O Type	COMMON
JESD-30 Code	R-PDSO-G32	JESD-609 Code	e3
Length	20.726 mm	Memory Density	262144 bit
Memory IC Type	NON-VOLATILE SRAM	Memory Width	8
Moisture Sensitivity Level	3	Number of Functions	1
Number of Ports	1	Number of Terminals	32
Number of Words	32768 words	Number of Words Code	32000
Operating Mode	ASYNCHRONOUS	Operating Temperature-Max	85 °C
Operating Temperature-Min	-40 °C	Organization	32KX8
Output Characteristics	3-STATE	Output Enable	YES
Parallel/Serial	PARALLEL	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Qualification Status	Not Qualified	Seated Height-Max	2.54 mm
Standby Current-Max	0.008 A	Standby Voltage-Min	4.5 V
Supply Current-Max	0.052 mA	Supply Voltage-Max (Vsup)	5.5 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	4.5 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	5 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Pitch	1.27 mm
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	20
Width	7.505 mm

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