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Siehe Technische Spezifikationen

CY62136EV30LL-45ZSXI +BOM

45 nanosecond access time

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

CY62136EV30LL-45ZSXI
Datenblatt:

CY62136EV30LL-45ZSXI Datenblatt (PDF)
Memory Size:

2 Mbit
Organization:

128 k x 16
Access Time:

45 ns
Interface Type:

Parallel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CY62136EV30LL-45ZSXI

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

CY62136EV30LL-45ZSXI Allgemeine Beschreibung

In conclusion, the CY62136EV30LL-45ZSXI is a must-have for those in need of a high-performance, low-power memory solution. Its innovative design, energy-saving features, and impressive speed make it a standout choice in the semiconductor industry. With Cypress Semiconductor's reputation for quality and reliability backing it up, this memory chip is sure to meet and exceed the expectations of engineers and designers working on the cutting edge of technology

Hauptmerkmale

High speed
— 55 ns
Temperature Ranges
— Industrial: –40°C to 85°C
— Automotive: –40°C to 125°C
Wide voltage range
— 2.7V – 3.6V
Ultra-low active, standby power
Easy memory expansion with CE and OE features
TTL-compatible inputs and outputs
Automatic power-down when deselected
CMOS for optimum speed/power
Available in a Pb-free and non Pb-free 44-pin TSOP
Type II (forward pinout) and 48-ball FBGA packages

Spezifikationen

Product Category	SRAM	Memory Size	2 Mbit
Organization	128 k x 16	Access Time	45 ns
Maximum Clock Frequency	-	Interface Type	Parallel
Supply Voltage - Max	3.6 V	Supply Voltage - Min	2.2 V
Supply Current - Max	20 mA	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Mounting Style	SMD/SMT
Memory Type	Volatile	Moisture Sensitive	Yes
Number of Ports	1	Product Type	SRAM
Series	CY62136EV30LL	Factory Pack Quantity	675
Subcategory	Memory & Data Storage	Tradename	MoBL
Type	Asynchronous	Unit Weight	0.016014 oz

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