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Siehe Technische Spezifikationen

CY6264-70SNXC +BOM

This SRAM chip has a capacity of 64 kilobits and an access time of 70 nanoseconds

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

CY6264-70SNXC
Datenblatt:

CY6264-70SNXC Datenblatt (PDF)
Memory Size:

64 kbit
Organization:

8 k x 8
Access Time:

70 ns
Interface Type:

Parallel
EDA/CAD Modelle:

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CY6264-70SNXC Allgemeine Beschreibung

When it comes to memory solutions, the CY6264-70SNXC stands out as a top contender in the SRAM chip market. Manufactured by Cypress Semiconductor, this chip offers a capacity of 64 kilobits and operates at an impressive speed of 70 nanoseconds, making it ideal for applications that demand fast data processing. Not only does the CY6264-70SNXC deliver on performance, but it also boasts a low power consumption design that is perfect for battery-powered devices. With a standby current of less than 20uA, this chip ensures energy efficiency without compromising on its high performance read and write operation. Upgrade your device or project with the CY6264-70SNXC and experience seamless data handling and reliable memory solutions

Hauptmerkmale

This is the feature of product CY62B128KVC,'
64K x 1 static random access memory (SRAM) chip
Operating at a speed of 70 nanoseconds
Single power supply of 3.3V
Low power consumption
Industrial temperature range

Anwendung

Reliable performance guaranteed
Industrial automation ready

Spezifikationen

Product Category	SRAM	Memory Size	64 kbit
Organization	8 k x 8	Access Time	70 ns
Interface Type	Parallel	Supply Voltage - Max	5.5 V
Supply Voltage - Min	4.5 V	Supply Current - Max	100 mA
Minimum Operating Temperature	0 C	Maximum Operating Temperature	+ 70 C
Mounting Style	SMD/SMT	Data Rate	SDR
Memory Type	SDR	Moisture Sensitive	Yes
Number of Ports	1	Product Type	SRAM
Series	CY6264	Factory Pack Quantity	270
Subcategory	Memory & Data Storage	Tradename	MoBL
Type	Asynchronous	Unit Weight	0.078125 oz

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